7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，正式启动了2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的试制，并成功展示了其首块2nm GAA晶圆。这一进展标志着日本在先进制程技术领域迈出了关键一步，也为未来2nm制程的量产奠定了基础。

IT之家 7 月 18 日消息，日本先进半导体制造商 Rapidus 今日正式宣布启动 2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块 2nm GAA 晶圆。这也是 最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑 ...

最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”，再进一步。 日本半导体制造商Rapidus宣布启动2nm GAA晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。 去年12月， ...

《学习时报》2025年07月18日刊登商务部党组书记、部长王文涛署名文章《投资中国就是投资未来》，文章中提到，扩大外资开放领域。落实制造业领域外资准入限制措施“清零”要求，持续清理负面清单之外的限制性措施，确保开放举措落地实施。在负面清单以外的领域， ...

7月18日消息，日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA（注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。

GAA纳米片晶体管在提高密度的同时，提供了功率和性能优势，但它们仅用于最尖端的工艺节点。 目前，全世界只有三星在其3nm节点上生产这种技术。

7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，已在其创新集成制造工厂（IIM-1）启动2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管结构的原型试制，原型晶圆并已启动电性参数测试。

” 三星、Synopsys并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情，只是表示，GAA 架构改进了静电特性，从而提高了性能并降低了功耗，可满足某些栅极宽度的需求。 这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸进一步微缩更有可能性。

据外媒披露，三星电子业务支援特别工作组与三星全球研究院已联合制定2纳米GAA良率提升战略。据信息显示，三星聚焦该制程的主因是客户未来两至三年将持续采用该技术。投资2纳米以下工艺风险极高，而三星2纳米GAA节点已取得实质性突破，有望借此技术实现市场反攻 ...

三星近年来持续通过先进制造工艺争取客户，但这一进程遭遇了不小的挑战。这些困难不仅使得其位于泰勒的工厂投产时间延后至2026年，也影响到了1.4纳米工艺的研发进展，原因在于公司正集中资源提升2纳米环绕栅极（GAA）技术的良率。

英特尔以RibbonFET的名称亮相其GAA技术；如同台积电一样，英特尔也计划在其2nm节点上采用这种新的半导体制造制程。 除了PowerVia互连，英特尔还计划在2024年中推出GAA RibbonFET晶体管，同时为新制程技术创建一种内部虚拟节点。

GAA是Gate-All-Around的缩写，GAA即环绕式栅极工艺，该技术通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能，从而突破FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的性能限制。