7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，正式启动了2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的试制，并成功展示了其首块2nm GAA晶圆。这一进展标志着日本在先进制程技术领域迈出了关键一步，也为未来2nm制程的量产奠定了基础。

IT之家 7 月 18 日消息，日本先进半导体制造商 Rapidus 今日正式宣布启动 2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块 2nm GAA 晶圆。这也是 最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑 ...

IT之家 7月18日消息，日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。

7月18日消息，日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA（注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。

（全球TMT2025年7月18日讯）先进逻辑半导体制造商Rapidus公司宣布，其2nm栅极全能（GAA）晶体管结构的原型设计已经在Rapidus的创新集成制造（IIM-1）代工厂开始试制。原型晶圆已启动电性参数测试。

Rapidus 于 2023 年 9 月 1 日举行了其首座晶圆厂 IIM-1 的奠基仪式、2024 年 12 月完成了洁净室准备，2025 年 4 月 1 日实现了初始图案的曝光与显影，到 2025 年 6 月完成了由 200 多个制造单元构成的生产线。

7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，已在其创新集成制造工厂（IIM-1）启动2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管结构的原型试制，原型晶圆并已启动电性参数测试。

7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，已在其创新集成制造工厂（IIM-1）启动2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管结构的原型试制，原型晶圆并已启动电性参数测试。 Rapidus表示，正在开发一款与创新集成制造工厂2纳米工艺兼容的工艺开发套件，并将于2026年一季度向先期客户发布，同时为客户打造一个可自主开发原型的环境。Rapidus预计将于2027年开始量产。

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【日本半导体制造商Rapidus启动2nm GAA晶体管试制 首块晶圆亮相】日本半导体制造商Rapidus宣布启动2nm GAA晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。

本文转自：澎湃新闻黄仁勋和王坚共话AI（人工智能），带来一场“梦幻联动”。7月17日上午，在链博会先进制造主题活动“以科技创新引领新质生产力发展”论坛上，英伟达CEO黄仁勋与之江实验室主任、阿里云创始人王坚进行了一场炉边谈话。在这场对话中，两人讨论了 ...