7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，正式启动了2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的试制，并成功展示了其首块2nm GAA晶圆。这一进展标志着日本在先进制程技术领域迈出了关键一步，也为未来2nm制程的量产奠定了基础。

IT之家 7 月 18 日消息，日本先进半导体制造商 Rapidus 今日正式宣布启动 2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块 2nm GAA 晶圆。这也是 最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑 ...

最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”，再进一步。 日本半导体制造商Rapidus宣布启动2nm GAA晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。 去年12月， ...

《学习时报》2025年07月18日刊登商务部党组书记、部长王文涛署名文章《投资中国就是投资未来》，文章中提到，扩大外资开放领域。落实制造业领域外资准入限制措施“清零”要求，持续清理负面清单之外的限制性措施，确保开放举措落地实施。在负面清单以外的领域， ...

7月18日消息，日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA（注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。

gaa纳米片晶体管在提高密度的同时，提供了功率和性能优势，但它们仅用于最尖端的工艺节点。 目前，全世界只有三星在其3nm节点上生产这种技术。

据外媒披露，三星电子业务支援特别工作组与三星全球研究院已联合制定2纳米GAA良率提升战略。据信息显示，三星聚焦该制程的主因是客户未来两至三年将持续采用该技术。投资2纳米以下工艺风险极高，而三星2纳米GAA节点已取得实质性突破，有望借此技术实现市场反攻 ...

三星、Synopsys并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情，只是表示，GAA 架构改进了静电特性，从而提高了性能并降低了功耗，可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸进一步微缩更有可能性。

谷歌将于今年晚些时候推出 Pixel 10 系列及 Tensor G5 芯片，这将是该公司首次从三星转向台积电，大规模生产其高端芯片组。鉴于这家韩国代工厂在提升 3nm GAA 工艺良率方面举步维艰，谷歌寻求替代方案只是时间问题，但情况并非一直如此 ...

随着GAA FET(全环绕栅极晶体管)逐渐取代3nm及以下的finFET(鳍式场效应晶体管),芯片行业已经准备好迎接晶体管结构的另一次变革,这给设计团队带来了一 ...

那么所谓的GAA工艺又是什么呢？ GAA是Gate-All-Around的缩写，GAA即环绕式栅极工艺，该技术通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能，从而突破FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的性能限制。

gaa制程技术是芯片微影技术的一项重要里程碑，随着美国和世界其他地方前所未有的晶圆厂扩建潮，该技术可能变得更加重要。先进半导体制造领域的三家大厂——台积电、三星和英特尔，目前都已经有了完整的gaa制程路线图。