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当前,该公司已与力积电达成合作,将GaN代工业务转移至后者的8英寸产线,并基于0.18微米CMOS工艺平台构建GaN-on-Si制造能力。 近期其推出的三款全新第四代高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS 和 TP65H030G4PQS 器件,均采用SuperGaN平台。